NVD6416ANT4G

产品描述

MOSFET

内部编号

生产厂商

数量:0

最小起订量:1
美国加州
当天发货，5-8个工作日送达.

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮

全场免运费 /报价不含任何销售税

支付方式

规格书	NTD6416AN
安装风格	SMD/SMT
晶体管极性	N-Channel
RDS（ON）	74 mOhms
封装	Reel
功率耗散	71 W
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	DPAK
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	100 V
RoHS	RoHS Compliant
FET特点	Standard
安装类型	*
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
供应商设备封装	*
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	81 mOhm @ 17A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	71W
标准包装	2,500
漏极至源极电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	17A (Tc)
输入电容（Ciss ） @ VDS	620pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	20nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	2500
Id - Continuous Drain Current	80 A
系列	NTD6416AN
品牌	ON Semiconductor
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
技术	Si
Rds On - Drain-Source Resistance	74 mOhms
Pd - Power Dissipation	71 W

型号	厂家	产品描述
NVD6416ANLT4G	ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

NVD6416ANT4G也可以通过以下分类找到

NVD6416ANT4G相关搜索

咨询QQ

综合类：

热线电话